รัสเซลล์ ดูพุยส์ ผู้บุกเบิกเทคโนโลยี MOCVD และเลเซอร์ควอนตัม

รัสเซลล์ ดีน ดูพุยส์ (Russell Dean Dupuis เกิด 9 กรกฎาคม ค.ศ. 1947) เป็นวิศวกรไฟฟ้าและนักฟิสิกส์ชาวอเมริกัน ผู้มีบทบาทสำคัญในการพัฒนาเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ โดยเฉพาะการบุกเบิกการปลูกผลึกด้วยวิธี Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) และการพัฒนาเลเซอร์ควอนตัมเวลล์ (Quantum-well lasers) ที่สามารถทำงานได้ในอุณหภูมิห้องแบบคลื่นต่อเนื่อง (Continuous-wave)

การศึกษา

ดูพุยส์สำเร็จการศึกษาระดับปริญญาตรี (ค.ศ. 1970) ปริญญาโท (ค.ศ. 1971) และปริญญาเอก (ค.ศ. 1972) ในสาขาวิศวกรรมไฟฟ้าจากมหาวิทยาลัยอิลลินอยส์ เออร์บานา-แชมเพน (University of Illinois at Urbana–Champaign)

เส้นทางอาชีพและผลงานทางวิชาการ

ในช่วงเริ่มต้นอาชีพ ดูพุยส์ทำงานที่บริษัท Texas Instruments ระหว่างปี ค.ศ. 1973 ถึง 1975 ก่อนจะย้ายไปร่วมงานกับ Rockwell International ในปี ค.ศ. 1975 ซึ่งที่นั่นเขาและ P. Dan Dapkus ได้สาธิตให้เห็นเป็นครั้งแรกว่าวิธี MOCVD สามารถนำมาใช้ในการปลูกฟิล์มบางของเซมิคอนดักเตอร์คุณภาพสูง รวมถึงอุปกรณ์อย่างเลเซอร์ได้

ต่อมาในปี ค.ศ. 1979 เขาได้เข้าทำงานที่ห้องปฏิบัติการเบลล์ (Bell Laboratories) ในเมืองเมอร์เรย์ฮิลล์ รัฐนิวเจอร์ซีย์ โดยร่วมมือกับ Ralph Logn, C.J. Pinzone และ Jan van der Ziel ในการสาธิตการปลูกผลึกเลเซอร์ GaAs (Gallium Arsenide) ลงบนซิลิคอนโดยตรง ซึ่งสามารถทำงานแบบคลื่นต่อเนื่องได้ที่อุณหภูมิห้อง นอกจากนี้ เขายังขยายผลงานไปยังการปลูก InP-InGaAsP ด้วยวิธี MOCVD และสาธิตการสร้าง VCSEL (Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser) ความยาวคลื่นยาวเป็นครั้งแรกที่ 1.55 ไมครอน

ในปี ค.ศ. 1989 ดูพุยส์เปลี่ยนสายงานเข้าสู่ภาควิชาการ โดยดำรงตำแหน่งศาสตราจารย์ที่มหาวิทยาลัยเท็กซัส ออสติน (University of Texas at Austin) ณ ศูนย์ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่ก่อตั้งโดย Ben G. Streetman และในปัจจุบันเขาดำรงตำแหน่ง Steve W. Chaddick Endowed Chair in Electro-Optics ในโรงเรียนวิศวกรรมไฟฟ้าและคอมพิวเตอร์ที่จอร์เจียเทค (Georgia Tech)

รางวัลและการยอมรับ

ด้วยผลงานที่โดดเด่น ดูพุยส์ได้รับเลือกให้เป็นสมาชิกของสถาบันวิศวกรรมแห่งชาติ (National Academy of Engineering) ในปี ค.ศ. 1989 จากผลงานบุกเบิกด้าน MOCVD และการสาธิตอุปกรณ์เฮเทอโรสตรักเจอร์ (Heterostructure devices)

รางวัลสำคัญที่เขาได้รับ ได้แก่:

• เหรียญเทคโนโลยีแห่งชาติ (National Medal of Technology) ปี 2002: ได้รับจากประธานาธิบดี จอร์จ ดับเบิลยู. บุช สำหรับผลงานการพัฒนาและทำให้ LED สามารถนำมาใช้ในเชิงพาณิชย์ได้
• รางวัล Charles Stark Draper Prize in Engineering ปี 2015: รางวัลเกียรติยศสูงสุดทางวิศวกรรมจากสถาบันวิศวกรรมแห่งชาติ
• รางวัล Japan Prize ปี 2025: ในสาขาวิทยาศาสตร์วัสดุและการผลิต (Materials Science and Production)
• รางวัลอื่นๆ: รางวัล IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award (1985), รางวัล John Bardeen Award (2004) และเหรียญ IEEE Edison Medal (2007)

นอกจากนี้ เขายังเป็น Fellow ขององค์กรวิชาชีพชั้นนำหลายแห่ง เช่น IEEE, American Physical Society, American Association for the Advancement of Science และ Optical Society of America